IRFR5410

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Semiconductor de óxido metálico FET  MOSFET,    To-252,     13 A, 100 V

Categoría:

Semiconductor de óxido metálico FET  MOSFET, 13 A, 100 V

  • Resistencia ultra baja
  • Canal IP 
  • Montaje en superficie (IRFR5410) 
  • Cable recto (IRFU5410)
  • Tecnología de proceso avanzada 
  • Cambio rápido
  • Totalmente clasificado como avalancha
  • Sin plomo

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